Artigo De: scopus, orcid

Properties of high growth rate amorphous silicon deposited by MC-RF-PECVD

Vacuum

Lavareda, G.; Nunes De Carvalho, C.; Chu, V. — 2002

Informações chave

Autores:

Lavareda, G. (Guilherme António Rodrigues Lavareda); Nunes De Carvalho, C.; Amaral, A. (Ana Maria Heleno Branquinho de Amaral); Conde, J.P. (João Pedro Estrela Rodrigues Conde); Vieira, M.; Chu, V.

Publicado em

01/01/2002

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Título do contentor da publicação

Vacuum

Primeira página ou número de artigo

245

Última página

248

Volume

64

Fascículo

3-4

DOI

10.1016/S0042-207X(01)00293-7

Domínio Científico (FOS)

materials-engineering - Engenharia dos Materiais

Idioma da publicação (código ISO)

eng - Inglês

Acesso à publicação:

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